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微流道芯片

微流道芯片

Product pilot test

硅流道芯片
純硅模具是制備高深寬比微通道的理想選擇，利用硅的干法刻蝕技術(shù)，可以輕松實(shí)現(xiàn)深寬比最高達(dá)25:1的微通道結(jié)構(gòu)，而且線條寬度可控制在2微米以上，精度誤差僅在±1微米范圍內(nèi)，該方法可以彌補(bǔ)光刻膠在高深寬方面的不足之處。硅干法刻蝕具體流程如右圖然而，硅表面通常具有強(qiáng)烈的親水性，這可能導(dǎo)致PDMS芯片在脫模時(shí)黏附在硅表面，制造過(guò)程中的一大挑戰(zhàn)。為解決這個(gè)問(wèn)題，通常需要對(duì)硅表面進(jìn)行疏水修飾，使硅表面變得疏水，確保PDMS芯片能夠輕松從硅模具上脫離，而不受親水性的干擾（具體疏水解決方案可咨詢

特點(diǎn)
它對(duì)有機(jī)溶劑的耐受性
容易金屬沉積
優(yōu)越的導(dǎo)熱性,表面穩(wěn)定性
加工案例
T型液滴
為什么深硅刻蝕中C4F8能起到鈍化作用？
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2024-11-27

RIE是一種結(jié)合了物理濺射和化學(xué)反應(yīng)雙重機(jī)制的刻蝕技術(shù)。在等離子體中，離子和中性自由基共同作用于材料表面。其中，自由基的密度遠(yuǎn)高于離子，它們通...

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2024-11-29

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【MEMS工藝】三種常見(jiàn)CVD技術(shù)，你知道的有哪些？
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2024-11-04

本文將詳細(xì)介紹目前三種常見(jiàn)的CVD技術(shù)——低壓化學(xué)氣相沉積（LPCVD）、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）以及高密度等離子體化學(xué)氣相沉...

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2024-11-05

在半導(dǎo)體芯片制造中，從原材料處理到最終封裝測(cè)試，整個(gè)流程涉及上千道工序，每一環(huán)節(jié)都需要精確控制，以確保芯片的性能與質(zhì)量。隨著科技的飛速發(fā)展，...

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