快速熱退火是用各種熱輻照源，直接照射在樣品表面上，迅速將樣品加熱至700~1200℃左右在幾秒~幾十秒的時(shí)間內(nèi)完成退火。它與常規(guī)熱退火相比，有下列優(yōu)點(diǎn)：樣品在相同的保護(hù)條件下，可以使用較高的退火溫度，這有利于提高注入雜質(zhì)的激活率與遷移率，尤其適合大劑量注入的樣品，因?yàn)榇髣┝孔⑷朐斐傻膿p傷嚴(yán)重，需要在較高溫度下退火，瞬態(tài)退火可以減少注入雜質(zhì)的再分布，形成陡峭的雜質(zhì)分布或突變結(jié)，另外當(dāng)退火溫度要求不十分高時(shí)，樣品表面無須用介質(zhì)膜保護(hù)，簡化了工藝。

快速退火是集成電路制造中常用的一種快速熱處理技術(shù)，用于消除晶圓上的應(yīng)力和損傷，并提高晶圓的品質(zhì)和可靠性。下面是幾種常見的快速退火方式和它們的特點(diǎn)：

1.閃光燈退火（Flash Annealing）：閃光燈退火是利用高功率閃光燈進(jìn)行的退火工藝，其特點(diǎn)如下：

高能量密度：閃光燈通過釋放高能量脈沖光，快速加熱晶圓。

非接觸性：閃光燈退火可以在不接觸晶圓的情況下進(jìn)行，減少了對(duì)晶圓的污染風(fēng)險(xiǎn)。

快速加熱速率：閃光燈退火可以在極短的時(shí)間內(nèi)將晶圓加熱到目標(biāo)溫度，通常只需幾毫秒。

適用廣泛：閃光燈退火適用于多種材料和結(jié)構(gòu)的退火處理。

2.激光退火（Laser Annealing）：激光退火是使用激光進(jìn)行的退火工藝，其特點(diǎn)如下：

高功率密度：激光通過將高能量集中在一個(gè)小區(qū)域，快速加熱晶圓。

非接觸性：激光退火可以在不接觸晶圓的情況下進(jìn)行，減少了對(duì)晶圓的污染風(fēng)險(xiǎn)。

高溫精確控制：激光可以精確調(diào)節(jié)加熱區(qū)域和加熱強(qiáng)度，實(shí)現(xiàn)高溫退火和局部加熱。

快速加熱速率：激光退火可以在幾毫秒內(nèi)將晶圓加熱到所需溫度。